MOSFET 代表金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。與任何傳統(tǒng)晶體管一樣，它是一種在現(xiàn)代電力電子設(shè)備中有許多應(yīng)用的晶體管。此外，它的功能基于電流如何流過它。需要注意的是，MOSFET 在不同電路中的使用有很多變化。本文討論了 MOSFET 的工作原理、MOSFET 的基本類型、相對(duì)于 BJT 的優(yōu)勢及其應(yīng)用。此外，您將學(xué)習(xí)如何在您的電路中進(jìn)行 MOSFET 工作。

讓我們開始吧！

什么是MOSFET？

MOSFET 是一種緊湊型晶體管。晶體管是半導(dǎo)體器件，用于通過調(diào)節(jié)流過它們的電壓來控制電流的流動(dòng)。

它與 BJT 的不同之處在于它如何允許電流通過。在 MOSFET 中，施加到柵極區(qū)域的電壓決定了有多少電流從漏極流向源極。并且，這種特性使 MOSFET 得名——金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。有趣的是，這些晶體管可以放大信號(hào)或只讓一種特定的電荷載流子通過。

                                                                   (MOSFET 結(jié)構(gòu))

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簡而言之，它是一種三端設(shè)備，用于確定閉合電路中的電流。其主要結(jié)構(gòu)端子是；源極 (S)、柵極 (G) 和漏極 (D)。它的作用取決于施加的柵極電壓。但是，如果考慮它的主體，那么 MOSFET 就是一個(gè)四端器件。

（具有電子計(jì)算機(jī)硬件背景的MOSFET）

MOSFET的基本類型

存在三種基本類型的 MOSFET。 

第一種類型是“N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET”或通常導(dǎo)通（n 溝道 MOSFET）。即使在其端子上施加零輸入電壓，它也允許電流流過漏極和源極之間的通道。此外，這意味著它不需要門信號(hào)進(jìn)行操作，因此在簡單的數(shù)字電路中很有幫助。在這里，引腳在物理上是分開的。

（N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET）

第二種類型的 MOSFET 是“N 溝道耗盡模式”或通常關(guān)閉（n 溝道）。這種類型需要負(fù)電壓才能打開并允許電流流動(dòng)。此外，它還有一個(gè)優(yōu)勢，因?yàn)檫@種類型的晶體管在關(guān)閉時(shí)充當(dāng)電阻器。因此，在需要控制輸入電壓的特定應(yīng)用中非常有用。引腳是物理連接的。

（N 溝道耗盡型 MOSFET）

第三，“P 溝道耗盡型 MOSFET 晶體管”通常是關(guān)斷的（p 溝道 MOSFET）。這種類型會(huì)阻止任何電流流過它，除非正電荷流過其端子。這意味著這種類型的晶體管充當(dāng)絕緣體。因此，它不適用于需要始終通過電流的特定應(yīng)用。

  （P 溝道耗盡型 MOSFET）

最后，“P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET”或常開（p 溝道）MOSFET。這種類型的電流傳導(dǎo)需要零柵源電壓。此外，它比其 n 溝道對(duì)應(yīng)物具有優(yōu)勢，因?yàn)樗陉P(guān)閉狀態(tài)下不會(huì)耗散能量。此功能允許它在切換應(yīng)用程序中使用。

（P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET）

MOSFET 是如何工作的？

我們應(yīng)該首先討論的是 MOSFET 是如何工作的？答案可能會(huì)讓你大吃一驚！

（MOSFET原理圖）

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MOSFET 通過讓電流流過其端子或不讓電流流過其端子來工作，這取決于施加的電壓。它利用施加在與金屬氧化物層相鄰的半導(dǎo)體表面上的電壓產(chǎn)生的電場效應(yīng)。因此，這允許 MOSFET 作為 p 型或 n 型工作。

柵電極控制器件內(nèi)源極和漏極區(qū)溝道之間的溝道電導(dǎo)率。這種工作原理使晶體管充當(dāng)理想的開關(guān)。從而使我們能夠控制電流如何流經(jīng)我們的電路。

這是您如何使用 MOSFET。通過控制流經(jīng)柵極區(qū)域的電壓有多少，您可以確定漏源溝道中的漏電流。

（MOSFET 符號(hào)內(nèi)嵌設(shè)計(jì)）

注意；重要的是要注意 MOSFET 晶體管和 BJT 晶體管略有不同。在BJT 中，電流從集電極流向發(fā)射極，而在 MOSFET 中，這種流動(dòng)發(fā)生在源極和漏極之間。發(fā)生的情況是，當(dāng)施加到其柵極端子的電壓超過特定閾值電壓時(shí)，電流開始流過它。

MOSFET 相對(duì)于 BJT 的優(yōu)勢

MOSFET相對(duì)于BJT的優(yōu)勢如下：

• 首先，MOSFET 可用于制作更緊湊的電路。

• 其次，與 BJT 晶體管相比，MOSFET 需要的功率和能量更少，因此整體效率更高。由于沒有基極電流，器件在關(guān)斷狀態(tài)時(shí)耗散的能量非常少。

• 第三，MOSFET 的制造成本低于 BJT 晶體管。因此，它們是在家中或出于愛好者目的設(shè)計(jì)電路時(shí)的首選。

• 其次，MOSFET 可以在高溫環(huán)境中工作，因?yàn)槠鋿艠O端子不需要像 PNP 晶體管那樣絕緣。這使它在溫度變得非常高的應(yīng)用中非常有用。

• 最后，MOSFET 可用于電壓放大，因?yàn)樗鼈冇袃蓚€(gè)導(dǎo)電端子。當(dāng)處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，此功能允許更有效的電流通過電路。相比之下，BJT 只需要一個(gè)端子將電流從漏極傳遞到源極端，反之亦然。

（計(jì)算機(jī)工程師鑷子）

MOSFET的應(yīng)用

• MOSFET 作為開關(guān)

MOSFET 在控制電壓的電力應(yīng)用中非常有用。它可以通過柵極端子進(jìn)行電流控制來輕松做到這一點(diǎn)。因此，這使得它要么打開要么關(guān)閉（很像主開關(guān)）。此外，這使得 MOSFET 成為理想的設(shè)備，可用作電源和需要供電的設(shè)備之間的接口。

（Mosfet 作為開關(guān)）

n 溝道 MOSFET 的示例應(yīng)用。當(dāng)按下開關(guān)時(shí)，LED亮起。

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• 放大應(yīng)用

MOSFET 還可以通過在導(dǎo)通狀態(tài)下允許更大的電流流過其漏電極來放大流過它的電流。它使 MOSFET 適用于需要電壓放大（例如放大聲波）的應(yīng)用。

• 動(dòng)態(tài)應(yīng)用

MOSFET 在需要快速改變狀態(tài)的應(yīng)用中很有幫助，這使它們成為需要大量開關(guān)的電路設(shè)計(jì)中的有價(jià)值的器件。

• 作為壓控電阻或可變電阻

當(dāng) MOSFET 在應(yīng)用中用作關(guān)斷開關(guān)時(shí)，它們是制作可變或壓控電阻器的合適器件。

(晶體管)

結(jié)論

總之，MOSFET 是合適的晶體管器件，可用于廣泛的應(yīng)用。它們易于使用和理解。 

我們希望您了解 MOSFET 的工作原理及其在日常生活中的用途！如果您有任何其他問題，請(qǐng)告訴我們。我們很樂意幫助。